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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介，张镇风现在在干嘛rong>我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介，张镇风现在在干嘛2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介，张镇风现在在干嘛到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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